SK하이닉스가 차세대 D램 메모리의 생산 거점으로 삼은 ‘용인 반도체 팹'(fab·생산공장) 1기가 6년 만에 첫 삽을 떴다. SK하이닉스는 이천-청주-용인으로 이어지는 국내 ‘D램 생산 삼각편대’를 구축, 폭증하는 미래 인공지능(AI) 반도체 수요에 대응할 수 있는 중장기 기반을 다지겠다는 구상이다.
<뉴스1>이 지난달 27일 찾은 경기도 용인시 처인구 원삼면 ‘용인 반도체 클러스터’ 조성 현장에선 SK하이닉스 팹 1기의 지정(파일) 작업이 한창이었다. 고대역폭메모리(HBM) 등 D램 메모리를 생산하는 팹 부지(60만 평)는 전체 클러스터 부지(126만평)의 절반을 차지하는 심장부다.
SK하이닉스 용인 팹 1기는 올해 국내에 신규 착공한 유일한 반도체 공장이다. SK하이닉스는 120조 원을 투입해 총 4기의 팹을 순차 조성할 예정이다. 팹 1기 준공 시점은 2027년 5월이다. 내부에는 소재·부품·장비(소부장) 기업의 기술 개발 및 실증을 돕는 ‘미니 팹’도 마련할 계획이다.
SK하이닉스는 용인 팹을 HBM 등 차세대 D램 메모리의 생산 거점으로 키울 방침이다. 더 넓게는 이천-청주-용인(이·청·용)을 잇는 ‘D램 삼각편대’를 구축한다는 청사진을 그렸다. SK하이닉스는 이미 2022년 이천 낸드플래시 라인을 D램 라인으로 전환하고, 지난해에는 청주 공장 증설을 결정했다.
SK하이닉스가 D램 생산 능력(CAPA) 증설에 박차를 가하는 배경엔 슈퍼사이클(초호황기)에 진입한 글로벌 AI 반도체 수요 때문이다. 업계는 전 세계 데이터 총량이 2014년 15제타바이트(ZB)에서 2030년 660ZB까지 성장할 것으로 본다. 글로벌 반도체 시장 규모가 2030년 1조 달러를 돌파할 것이란 관측도 있다.
특히 AI 메모리는 전체 메모리 시장에서 빠르게 덩치를 키우고 있다. 업계에 따르면 2023년 기준 메모리 시장에서 약 5%에 불과했던 HBM과 고용량 D램 모듈 등 AI 메모리의 비중은 오는 2028년 61%까지 늘어날 것으로 예상된다. 미래 메모리 시장의 ‘대세’가 확정된 셈이다.
곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 지난해 5월 용인 팹 1기 준공을 3년 앞두고 가진 기자간담회에서 현재 글로벌 데이터센터 중심인 메모리 반도체 수요가 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 온디바이스(On-Device) AI로 다양화될 것이라고 전망하면서 “AI에 특화된 ‘초고속·고용량·저전력’ 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것”이라고 밝힌 바 있다.
곽 사장은 이어 “SK하이닉스는 HBM, 실리콘 관통전극(TSV) 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD 등 제품별 업계 최고의 기술 리더십을 확보한 상황”이라며 “글로벌 파트너사들과의 전략적인 협업을 통해 세계 최고의 고객 맞춤형 메모리 설루션을 제공할 것”이라고 했다.
AI 산업에 대응한 ‘D램 삼각편대’는 최태원 SK그룹 회장이 그리는 청사진이기도 하다. 최 회장은 지난 2023년 용인 반도체 클러스터 현장을 방문해 “용인 클러스터는 SK하이닉스 역사상 가장 계획적이고도 전략적으로 추진되는 프로젝트”라며 “경쟁력을 확보에 최선을 다해달라”고 주문했다.
